产品名称

锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片

技术参数

晶体结构：立方晶系

晶格常数：a=10.518Å

纯度：>99.99％

密度：7.12g/cm3

硬度：5( mohs)

熔点：1050 ℃

透过范围：350~5500nm

电光系数 ： r41=1.03x10-12m/V

折射率： 2.098@ 632.8nm

激发光谱： 305nm

临界能量： 10.5Mev

能量分辨率： 20%511 keV @

生长方法：提拉法

产品规格

常规晶向：（100）

晶向公差：±0.5°

内常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm

抛光情况：单抛、双抛

抛光面粗糙度：Ra<5A

注：可按照客户要求加工尺寸和晶向。

晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装