产品名称

Ga:ZnO晶体基片

技术参数

晶体结构：六方晶系

晶格常数： a= 3.252 Å ,  c = 5.313 Å

熔点：1975℃

硬度：4 Mohs

密度：~5.7 g/cm3

带隙：3.37eV

介电常数：8.5

比热容：0.125 cal/gm

导电性：N type

导热系数：0.006 cal/cm/ oK

热膨胀系数：2.90 x 10-6/oK

位错密度：< 4 x 104 /cm2

产品规格

常规晶向： (0001)

常规尺寸：5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm

表面粗糙度：<5A

注：尺寸可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室100级超净袋真空包装