Ge(锗)晶体
发布时间: 2024-03-25 17:25:38 浏览次数:755

  
产品介绍:
Ge(锗)主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
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  产品名称  Ge晶体基片  技术参数  晶体结构:立方晶系  晶格常数:5.6754 Å  密度:5.323 g/cm3   熔点:937.4 ℃  介电常数:16.2  热导率(w/m·k):60.2  掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺In或Ga;  类型:N型 和 P型  电阻率 W·cm:>35  0.05  0.05-0.1  EPD:< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2   生长方法:直拉法  产品规格  常规晶向:、、  晶向公差:±0.5°  常规尺寸:10x10x0.5mm,10x5x0.5mm,dia2",dia3"  抛光情况:单抛、双抛  表面粗糙度:< 5A  注:尺寸及方向可按照客户要求定做。  晶体缺陷  人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。  标准包装  1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 
晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理
  
  
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高经理: 188-3829-0747
黄经理: 188-3829-0748
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